電容失效大部分是由于電路降額不足，反向電壓大過(guò)功耗導(dǎo)致，主要的失效模式是短路，也有極少量是發(fā)生參數(shù)偏移。失效機(jī)理主要是由于氧化膜缺陷，鉭塊與陽(yáng)極引出線(xiàn)接觸產(chǎn)生相對(duì)位移，陽(yáng)極引出鉭絲與氧化膜顆粒接觸等，大部分鉭電容失效是災(zāi)難性的，可能發(fā)生燒毀、爆炸，在應(yīng)用過(guò)程中需特別注意。
在實(shí)際使用中的經(jīng)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，鉭電容失效呈現(xiàn)如下特點(diǎn)：
1、容值較大的鉭電容比容值較小的鉭電容更易失效；
2、片狀鉭電容多發(fā)生在固定的部位或固定的電路中；
3、電源濾波的第一個(gè)鉭電容更容易失效；
4、在ICT、FCT上電瞬間易發(fā)生失效；
5、老化過(guò)程中鉭電容最容易失效；
6、散熱較差區(qū)域易發(fā)生失效；
7、浪涌下易發(fā)生失效。
分析鉭電容如上特點(diǎn)，無(wú)外乎就是容值、溫度、浪涌等幾個(gè)方面引起，所以我們?cè)趹?yīng)用過(guò)程中需綜合考量各種因素。
信息來(lái)源：鉭電容
