功率晶體管包括
三極管和二極管，其典型的封裝形式是THM（Through-HoleMount，引腳插入式）插腳型封裝，即使是在SMD（SurfacdMountingDevice，表面貼裝元件）大行其道的今天也是如此，因?yàn)閷?shí)踐證明這種形式的封裝既可靠又利于獨(dú)立散熱片的安裝和固定。晶體管THM封裝以TO（TransistorOutline，晶體管封裝）為主要形式，而SMD形式的，以有引腳的為主要形式，IR（InternationalRectifier，國(guó)際整流器）開發(fā)的DirectFET封裝則是其中的特例，屬于無引腳而只有焊接端子的形式，這種形式在小功率SMD器件中的應(yīng)用最為廣泛。
我們常見的電子元器件封裝屬于最終封裝，是可以直接進(jìn)行印制板（PCB）安裝的封裝形式，雖然各半導(dǎo)體芯片制造商都提供沒有最終封裝的預(yù)封裝裸片（不能直接安裝于印制板），但是帶有最終封裝的元器件仍然是最主要、最主流的提供形式。
功率晶體管相對(duì)于集成電路，引腳排列相對(duì)簡(jiǎn)單，只是外部形狀各異。按照管芯封裝材料來分大致有兩大類：塑料封裝和金屬封裝。如今，塑料封裝最為常見，有裸露散熱片的非絕緣封裝和連散熱片也封裝在內(nèi)的全塑封裝（也稱為絕緣封裝），后者無需在散熱器絕緣和晶體管之間加裝額外的絕緣墊片，但是耗散功率會(huì)稍微小一些；金屬封裝又稱為金屬管殼封裝或者管帽封裝，有著銀白色的圓形蘑菇狀金屬外殼，因?yàn)榉庋b成本比較高，如今已經(jīng)不太常見了。按照內(nèi)部管芯的數(shù)量，可以分為單管芯、雙管芯、多管芯三大類，多管芯一般耗散功率比較大，主要用于電力電子領(lǐng)域，比較通用的名稱是模塊或者晶體管模塊，本文不再討論。
三極管中，單管芯塑料封裝最常見，引腳都是3個(gè)，排列也很有規(guī)律，很少有例外。有印字的一面朝向自己，引腳向下，從左至右，常見類型的功率晶體管引腳排列如下：
BJT（雙極性晶體管）：b（基極）、c（集電極）、e（發(fā)射極）；IGBT（絕緣柵雙極晶體管）：G（柵極）、c（集電極）、e（發(fā)射極）；VMOS（垂直溝道場(chǎng)效應(yīng)管）：G（柵極）、D（漏極）、S（源極）；BCR（雙向晶閘管）：A1（陽極1）、A2（陽極2）、G（控制極）；SCR（單向晶閘管）：K（陰極）、A（陽極）、G（控制極）大功率二極管除了特有的DO（DirectOutline，兩端直接引線）封裝外，也常常采用塑封三極管的封裝形式，三引腳為共陰極或者共陽極以及雙管芯并聯(lián)，或者將三引腳改為兩引腳，通常是中間的一腳省去。
對(duì)于塑料封裝而言，三引腳的TO-220是基本形式，由此擴(kuò)大，有TO-3P、TO-247、TO-264等，由此縮小，有TO-126、TO-202等，并各自延伸出全絕緣封裝以及更多引腳封裝和SMD形式。其目的也很明確，在保證耗散功率的前提下縮小封裝成本，對(duì)于高頻開關(guān)器件，還要減小引線電感和電容，DirectFET封裝就是典型的例子。很多封裝僅從外部形狀來看，很相似，這時(shí)候就需要注意其實(shí)際的外形尺寸以及底板是否絕緣等；有些封裝不止一個(gè)名稱，因?yàn)榉庋b原本沒有統(tǒng)一的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，更多是約定俗成，后來一些行業(yè)協(xié)會(huì)也參與了名稱的確認(rèn)以便于交流，如常見的以SC開頭的封裝名稱就大多是由JEITA，日本電子和信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)一確認(rèn)的，對(duì)常見的TO-220AB，JEITA命名的名稱是SC-46。部分功率三極管的封裝形式見后圖。
信息來自：
鉭電容 陶瓷電容 二、三極管 晶體振蕩器
