AVX鉭電容的耗散因素（D.F.）
耗散因數(shù)測量的切線損耗角（TAN），以百分比表示。測量DF是開展測理橋梁供應一個0.5V RMS120Hz正弦信吃，免費諧波與偏見2.2Vdc。DF值是溫度和頻率依賴 。注意：對于表面貼裝產(chǎn)品所允許的最大DF值表示的收視率表是很重要的。這些限額會見了由組件后基板上焊接。
AVX鉭電容的損耗角正切（TAN）
這是一個在電容器的級量損耗的測量。它表示為棕褐色，是電容器的功率損耗其無功功率分為一組指定的正統(tǒng)統(tǒng)電壓頻率。也用的術語是功率因素，損耗因子和介電損耗。COS（90-）是真正的功率因數(shù)。使用測量進行測量譚橋梁，提供一個0.5V RMS120Hz的正弦信號，免費諧波的2.2Vdc的偏見。
耗散因數(shù)的頻率依賴性
隨著頻率的增加損耗因素所示鉭和OxiCap®電容器的典型曲線相同的；
耗散與溫度的關系
耗散系數(shù)隨溫度變化的典型曲線表演。這些地塊是鉭和OxiCap®相同電容器。對于最高限額，請參閱評分表
